Vì sao dùng macchj cầu wheatston lại

Hình 1 cho thấy một mạch cầu cơ bản bao gồm ba điện trở đã biết, R1, R2, và R3 [biến], một điện trở biến đổi không đổi RX [RTD], nguồn điện áp và một ampe kế nhạy cảm.

Hình 1: Sơ đồ mạch cẩu điện trở

Điện trở R1 và R2 là các nhánh tỷ lệ của cầu. Chúng tỷ lệ hai điện trở biến cho dòng điện qua ampe kế. R3 là một điện trở biến đổi được gọi là cánh tay tiêu chuẩn được điều chỉnh để phù hợp với điện trở không xác định. Ampe kế cảm biến hiển thị trực quan dòng điện chạy qua mạch cầu. Phân tích mạch cho thấy khi R3 được điều chỉnh sao cho ampe kế đọc dòng không, điện trở của cả hai tay của mạch cầu là như nhau. Phương trình 1 dưới đây cho thấy mối quan hệ của kháng giữa hai nhánh của cầu.

Vì các giá trị của R1, R2 và R3 là các giá trị đã biết, nên chỉ unkown là Rx. Giá trị của Rx có thể được tính toán cho cầu trong điều kiện hiện tại của ampe kế zero. Biết được giá trị điện trở này cung cấp một điểm cơ sở để hiệu chuẩn thiết bị gắn với mạch cầu. Kháng chiến không xác định, Rx, được cho bởi phương trình 2 bên dưới.

Hoạt động mạch cầu

Cầu hoạt động bằng cách đặt Rx trong mạch, như trong Hình 1, và sau đó điều chỉnh R3 sao cho tất cả dòng điện chạy qua vòng tay của mạch cầu. Khi điều kiện này tồn tại, không có dòng điện chạy qua ampe kế và cầu được cho là cân bằng. Khi cầu được cân bằng, các dòng chảy qua mỗi cánh tay chính xác tỉ lệ thuận. Chúng bằng nhau nếu R1 = R2. Hầu hết thời gian cây cầu được xây dựng để R1 = R2. Khi trường hợp này xảy ra, và cầu được cân bằng, thì sức đề kháng của Rx bằng R3, hoặc Rx = R3.

Khi cân bằng tồn tại, R3 sẽ bằng với điện trở không xác định, ngay cả khi nguồn điện áp không ổn định hoặc không được biết chính xác. Một cây cầu Wheatstone điển hình có một số mặt đồng hồ được sử dụng để thay đổi sức đề kháng. Một khi cây cầu được cân bằng, các mặt đồng hồ có thể được đọc để tìm giá trị của R3. Các mạch cầu có thể được sử dụng để đo điện trở đến mười phần trăm hoặc thậm chí hàng trăm độ chính xác phần trăm. Khi được sử dụng để đo nhiệt độ, một số cầu Wheatstone có điện trở chính xác là chính xác đến khoảng + 0,1 ° F.

Hai loại mạch cầu [không cân bằng và cân bằng] được sử dụng trong các mạch phát hiện nhiệt độ kháng nhiệt kế. Mạch cầu không cân bằng [Hình 2] sử dụng một milivolt kế được hiệu chỉnh theo đơn vị nhiệt độ tương ứng với điện trở RTD.

Hình ảnh: Mạch cầu cân bằng

Pin được kết nối với hai điểm đối diện của mạch cầu. Milivolt kế được nối với hai điểm còn lại. Biến trở điều chỉnh dòng cầu. Dòng điện được điều chỉnh được chia giữa nhánh với điện trở cố định và điện trở phạm vi R1, và nhánh với RTD và điện trở phạm vi R2. Khi điện trở của các thay đổi RTD, điện áp tại điểm X và Y thay đổi. Máy đo milivolt phát hiện sự thay đổi điện áp gây ra bởi sự phân chia dòng điện không đồng đều trong hai nhánh. Đồng hồ có thể được hiệu chỉnh theo đơn vị nhiệt độ vì giá trị điện trở thay đổi duy nhất là của RTD.

Mạch cầu cân bằng [Hình 3] sử dụng điện kế để so sánh điện trở RTD với điện trở cố định. Điện kế sử dụng một con trỏ làm chệch hướng ở hai bên của zero khi điện trở của cánh tay không bằng nhau. Sức đề kháng của dây trượt được điều chỉnh cho đến khi điện kế chỉ số không. Giá trị của điện trở trượt sau đó được sử dụng để xác định nhiệt độ của hệ thống đang được giám sát.

Hình ảnh: Sơ đồ mạch cầu Wheatstone

Một điện trở slidewire được sử dụng để cân bằng cánh tay của cây cầu. Mạch sẽ được cân bằng bất cứ khi nào giá trị của điện trở trượt là như vậy mà không có dòng điện chạy qua điện kế. Đối với mỗi thay đổi nhiệt độ, có một giá trị mới; do đó, thanh trượt phải được di chuyển đến vị trí mới để cân bằng mạch.

Sự cân bằng nhiệt độ:

Do những thay đổi về nhiệt độ môi trường xung quanh, mạch điện trở nhiệt kế phải được bù lại. Các điện trở được sử dụng trong mạch đo được lựa chọn sao cho điện trở của chúng sẽ không thay đổi trong phạm vi nhiệt độ mong đợi. Nhiệt độ bồi thường cũng được thực hiện thông qua thiết kế của mạch điện tử để bù đắp cho những thay đổi môi trường xung quanh trong tủ thiết bị. Nó cũng có thể cho sức đề kháng của máy dò dẫn đến thay đổi do sự thay đổi nhiệt độ môi trường xung quanh. Để bù lại cho sự thay đổi này, ba và bốn mạch RTD dây được sử dụng. Bằng cách này, cùng một lượng dây dẫn được sử dụng trong cả hai nhánh của mạch cầu, và sự thay đổi về điện trở sẽ được cảm nhận trên cả hai nhánh, phủ nhận tác động của sự thay đổi nhiệt độ.

Tóm lược:

Hoạt động mạch phát hiện nhiệt độ được tóm tắt dưới đây và được ứng dụng trong thiết bị loadcell của cân điện tử ngày nay.

Mạch cầu cơ bản bao gồm:

Hai điện trở đã biết [R1 và R2] được sử dụng để tỷ lệ điện trở có thể điều chỉnh và được biết đến

Một điện trở biến đổi đã biết [R3] được sử dụng để phù hợp với điện trở biến không xác định

Một điện trở không xác định [Rx] được sử dụng để đo nhiệt độ

Một ampe kế cảm biến cho biết dòng điện chạy qua mạch cầu

Mạch cầu được xem là cân bằng khi ampe kế cảm biến không có dòng điện.

Một dụng cụ nhiệt độ cơ bản bao gồm:

  • RTD để đo nhiệt độ

  • Một mạng cầu nối để chuyển đổi điện trở điện áp

  • Bộ chuyển đổi DC sang AC để cung cấp tín hiệu AC khuếch đại cho bộ khuếch đại

  • Bộ khuếch đại tín hiệu AC để khuếch đại tín hiệu AC đến mức có thể sử dụng

  • Mạch hở trong dụng cụ nhiệt độ được chỉ định bởi nhiệt độ rất cao. Một mạch ngắn trong dụng cụ nhiệt độ được chỉ định bởi nhiệt độ rất thấp.

  • Nhiệt độ công cụ đo nhiệt độ môi trường xung quanh được thực hiện bởi:

Bài thí nghiệm số 7 – Nhóm 10ĐO ĐIỆN TRỞ BẰNG CẦU WHEATSTONEI. MỤC ĐÍCHNghiên cứu cầu WHEATSTONE, ứng dụng mach cầu WHEATSTONE để đo điện trở.II. LÝ THUYẾTCCầu WHEATSTONE gồm 3 điện trở đã biếtRo, R1, R2, một điện trở chưa biết Rx, một nguồnRonuôi một chiều và một ampe kế A được nối nhưRxI1sơ đồ hình 1.Khi ta đóng khố K và K1 dịng điện từnguồn sẽ phân nhánh vào điện trở R1 & Ro. Ta cóAthể điều chỉnh các điện trở Ro, R1 và R2 sao chokhông có dịng đi qua điện kế V, lúc đó:1.tương tự, cường độ I3 trong nhanh AD bằngcường độ I4 trong nhánh DB2.B-I3I4k1R1R2DCường độ I1 của dòng điện trong nhánh ACbằng cường độ I2 của dịng điện trong nhánh CB:I2+Vk-+Hình 1Các điểm C và D ở cùng điện thế, ta có:Hay:VA - VC = VA - VD và VC - VB = VD - VB[1]RoI1 = R1I3[2]RxI2 = R2I4[3]Chia phương trình [3] cho phương trình [2], ta có:Rx R2=Ro R1 Rx = RoR2R1[4]Từ phương trình [4], nếu biết Ro và tỷ số R2/R1 thì ta xác định được Rx.III. DỤNG CỤ THÍ NGHIỆMTTTên dụng cụ thí nghiệmSố lượng1Nguồn ni hạ áp12Đồng hồ đa năng HIOKI13Mạch cầu WHEATSTONE11 4Biến trở Ro15Dây điện trở1m15TT1234523Chức năngCông tắc nguồnLối ra 12V xoay chiềuLối ra 020V xoay chiềuLối ra 020V một chiềuNúm chỉnh điện áp ra 3 và 441. Nguồn nuôi hạ áp có 3 lối ra:2. Đồng hồ đa năng HIOKI: Có 4 chức năng đo tương ứng với dũng điện, điện áp mộtchiều, xoay chiều và điện trở. Khi sử dụng chúc năng đo nào thỡ xoay công tắc chọn chứcnăng đó.Màn hình hiện thị kếtquảCơng tắc chọn chứcnăng đoCực dương [Đo dịngDC, AC[µA, mA]]Cực dương [Đo điện ápDC, VC, điện trở]Cực dương [Đo dòngAC, DC [A]]Cực âm2 3. Biến trở Ro: bằng cách ghép nối tiếp 7 hộp điện trở có các giai x 1, x 10,x 100, x1K, x 10 K, x100 K, x1 M, cho phép ta thay đổi từng 1 một từ 0 đến 111111110.IV. THỰC HÀNH1. Mắc mạch theo sơ đồ hình vẽ:RoRxC+Vl1Dây điện trở-l2ABDThanh gỗThước mét+-2. Đồng hồ đa năng HIOKI: vặn công tắc quay chọn thang đo điện áp 1 chiều.3. Bật công tắc 1 của nguồn nuôi, điều chỉnh núm 5 sao cho điện áp lối ra 4 nhỏ hơn 1,5V.4. Dịch chuyển điển tiếp xúc D để dòng qua vụn kế V bằng 0. Kết quả đo l1 và l2 cho RX1 ghivào bảng 1.Tương tự đối với điện trở RX2 và RX1 mắc song song với RX2. Kết quả đo l1 và l2 ghi vàobảng 1.Bảng 1:Số lần đoRX1l1 [cm]RX2l2[cm]l1 [cm]Lần 13RX1// RX2l2[cm]l1 [cm]l2[cm] Lần 2Lần 3Lần 4Lần 5V. NHỮNG NỘI DUNG CẦN BÁO CÁO1. Cơ sở lý thuyết.2. Kết quả thí nghiệm [Bảng số liệu].3. Tính các giá trị l1 & l2 , suy ra tỷ số R 2 R1 như sau:l2R2l2= S =R1l1 l1Strong đó[5] , S là điện trở suất và tiết diện dây điện trở.Thay [5] vào phương trình [4] tính được R x .4. Tính sai sốa. Sai số tuyệt đối: Từ l 1 , l 2 , l 1 , l 2 và R x , suy ra  R x .b. Sai số tỷ đối:=R x 100% .Rx5. Kết quả được viết dưới dạngRx = R x   R xvà Rx = R x  4 BẢNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM – NHĨM 10Bài thí nghiệm số 07: ĐO ĐIỆN TRỞ CẦU WHEATSONHọ tên sinh viên .............................................. Mã số SV: .......... Lớp:……Những người làm cùng: 1 ...............................................................................2 ..................................................................................3 ..................................................................................Bảng 1: Kết quả đo Rx1Lần đoR0 = 100 R0 = 150 l1 [cm]l2 [cm]l1 [cm]l2 [cm]l1 [cm]l2 [cm]150.549.559.640.467.133.0250.549.660.139.967.133.0350.449.659.740.367.132.9450.449.660.439.667.232.8549.650.459.740.366.833.2__l1 = l2 = l  lBảng 2: Kết quả đo Rx2R0 = 10 Lần đol1 [cm]l2 [cm]l1 =l2 =l1 =R0 = 20 l2 =R0 = 30 l1 [cm]l2 [cm]l1 [cm]l2 [cm]150.549.667.232.875.324.7250.149.967.232.874.525.5349.850.266.933.174.625.4450.149.967.033.074.925.149.650.467.432.675.224.85__l1 = l2 = l  lBảng 3: Kết quả đo Rx3R0 = 10 Lần đol1 [cm]l2 [cm]l1 =l2 =l1 =R0 = 20 l2 =R0 = 30 l1 [cm]l2 [cm]l1 [cm]l2 [cm]152.547.568.731.376.723.3252.547.568.731.376.723.3352.547.568.731.376.723.3452.547.568.731.376.723.352.547.568.731.376.723.35_R0 = 200 _l  ll1 =l2 =l1 =δRo = 1%l2 =l1 =l2 =Ngày …… tháng …… năm ………Xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm5 Bài thí nghiệm số 10 – Nhóm 10NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TUYẾN TĨNH CỦA TRANSISTORI. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM- Vẽ các đặc tuyến tĩnh của transistor, xác định hệ số khuếch đại của transistorII. CƠ SỞ LÝ THUYẾT1. Cấu tạo, ký hiệu, nguyên lý làm việc của transistor- Bán dẫn là những chất có điện trở suất lớn hơn của kim loại nhưng nhỏ hơn của điện môi, thànhphần hạt mang điện bao gồm electron và lỗ trống. Bán dẫn pha tạp là chất bán dẫn được pha lẫnmột ít tạp chất. Tuỳ vào chất pha tạp và nồng độ pha tạp mà độ dẫn điện của bán dẫn tăng lênhàng vạn, hàng triệu lần. Bán dẫn pha tạp được chia thành hai loại: loại p [positive], loại n[negative]. Bán dẫn loại p có thành phần hạt mang điện cơ bản là lỗ trống, loại n có thành phầnmang điện cơ bản là electron.- Transistor là dụng cụ bán dẫn được cấu tạo từCba phần có tính dẫn điện khác nhau. Nếu phần ởCBp n pgiữa là bán dẫn loại p thì hai bên là bán dẫn loại a. En [ta có transistor NPN], nếu phần ở giữa là bánBEdẫn loại n thì hai bên là bán dẫn loại p [ta cóCtransistor PNP]. Transistor có 3 miền bán dẫn:emitơ, bazơ, colector. Theo thói quen ta thường b. ECBn p ngọi transistor loại PNP là phân cực thuận, NPNBElà phân cực ngược. Khi vẽ transistor ta cần chú ýđến ký hiệu mũi tên của nó để phân biệt hai loại Hình 1. Cấu tạo, ký hiệu của các loại transistora. Transistor loại PNP [thuận]transistor.b. Transistor loại NPN [nghịch]- Miền emitor là miền có nồng độ tạp chất lớnnhất, điện cực nối với miền này gọi là điện cực E [cực phát]. Miền bazơ có nồng độ tạp chất nhỏnhất và bề dày rất nhỏ [cỡ m tới nm], điện cực nối với miền này gọi là B [cực gốc]. Miềncolector có nồng độ tạp chất trung bình, điện cực nối với miền này là C [cực góp]. Tiếp giáp p-ngiữa miền E và B gọi là tiếp giáp emitơ [JE], giữa miềnC và B gọi là tiếp giáp colector [JC].ICC- Để transistor làm việc ta phải dùng hai điện áp ngoàiđặt vào ba cực của nó, tức là phải phân cực cho nó. ỞPchế độ khuếch đại thì tiếp giáp emitơ JE phải được phânEtx+ +cực thuận để mở cho các hạt dẫn cơ bản xuất phát, cònJCtiếp giáp colector JC phải được phân cực ngược để tạoIB UCENđiện trường gia tốc cho các hạt dẫn cơ bản chạy đếnB+Etxcực C hình thành dịng điện chạy qua transistor.JE- Để phân tích nguyên lý làm việc ta lấy transistor PNP+ + +UBElàm ví dụ. Do JE phân cực thuận ở trạng thái mở, cáchạt cơ bản [lỗ trống] từ miền E chạy qua JE tạo nênPdòng emitor [IE], chúng tràn qua miền bazơ hướng tớiEJC. Trong quá trình khuếch tán một số lỗ trống bị táiIEhợp với các điện tử của miền B tạo nên dịng bazơ [IB].Hình 2. Minh hoạ ngun lý làm việc củaDo miền B được cấu tạo rất mỏng nên hầu hết các lỗtransistor PNP ở chế độ khuyếch đại-6 trống [hạt cơ bản của miền E] khuếch tán đến được bờ của JC và được điện trường gia tốc [do JCphân cực ngược] lôi kéo tràn qua miền C đến cực C tạo thành dòng colector [IC].- Mối quan hệ giữa các dòng điện trong transistor là:I E = I B + IC- Để đánh giá mức hao hụt dòng khuếch tán của các hạt cơ bản khi tràn qua miền B, người tađịnh nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện của transistor:  = I C / I E . Hệ số  luôn bé hơn 1 và có giátrị gần bằng 1 đối với transistor tốt.- Để đánh giá tác dụng điều khiển của dòng IB tới dòng IC người ta định nghĩa hệ số khuếch đại Kcủa transistor khi mắc E chung:K=ICIB[hệ số khuếch đại K có giá trị từ vài chục đến vài trăm lần]- Ta có mối quan hệ  =KK +12. Ba cách mắc mạch transistor- Khi dùng transistor để khuếch đại, tín hiệu điện được đưa vào giữa hai điện cực và lấy ra cũngtừ hai điện cực. Trong đó điện cực nào được nối chung cho cả đầu vào và đầu ra là điện cựcchung. Về nguyên tắc cực nối chung phải được nối với đất về mặt điện xoay chiều để lấy nó làmnền so sánh giữa điện áp lối ra và điện áp lối vào. Có 3 cách mắc đó là: mắc emitơ chung, mắcbazơ chung, mắc colector chung.ICIBICIEUraUvµoIEUraIBIEIBUraUvµoIC[a][b][c]Hình 3. Ba cách mắc transistora. Mắc emitơ chungb. Mắc bazơ chungc. Mắc colector chungA3. Các họ đặc tuyến tĩnh của transistor- Khi tính tốn thiết kế mạch điện dùng transistor ta cần biết cácthông số kỹ thuật của transistor thông qua các đặc tuyến tĩnh của nó.Sau đây ta xét cụ thể trong cách mắc emitơ chung.- Có 3 họ đặt tuyến tĩnh của transistor: đặc tuyến tĩnh vào, đặc tuyếntĩnh ra, đặc tuyến tĩnh truyền đạt.a. Họ đặc tuyến tĩnh vào của transistor- Đặc tuyến tĩnh vào của transistor là đồ thị mơ tả sự phụ thuộc củadịng IB vào hiệu điện thế UBE khi hiệu điện thế UCE được giữ khôngđổi [ I B = f [U BE ] khi U CE = const ].40UCE=2V30IB20UCE=4V1000,20,4 0,6UBEVHình 4. Họ đặc tuyến tĩnh vàocủa transistor- Với mỗi giá trị không đổi của UCE ta sẽ có một đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành họ đặctuyến tĩnh vào của transistor. Các đặc tuyến có dạng như hình vẽ bên.7 Ab. Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor- Đặc tuyến tĩnh ra của transistor là đồ thị mô tảsự phụ thuộc của dòng điện IC và hiệu điện thểUCE khi dịng điện IB được giữ khơng đổi[ IC = f [U CE ] khi I B = const ].IB=50A8UCE=4VICIB=40A6IB=30A4IB=20AUCE=1V- Với mỗi giá trị khơng đổi của IB ta sẽ có mộtđặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành học đặctuyến tĩnh ra của transistor.2A 50 40 302010IB=10A01324VIBUCEc. Họ đặc tuyến tĩnh truyền đạt của transistorHình 5. Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor- Đặc tuyến tĩnh truyền đạt là đồ thị mơ tả sự phụthuộc của dịng điện IC vào IB khi UCE được giữ không đổi [ IC = f [ I B ] khi U CE = const ].- Với mỗi giá trị không đổi của IB ta sẽ có một đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành họ đặctuyến tĩnh ra của transistor.- Họ đặc tuyến tĩnh truyền đạt có thể được suy ra từ họ đặc tuyến tĩnh ra.III. DỤNG CỤ THÍ NGHIỆM1. Transistor trong bài sử dụng là transistor loại NPN có ký hiệu BD 138. Các cực E, B, C cóchân cắm thích hợp với bảng điện.2. Bảng điện DIN A là một bảng phẳng trên có các lỗ cắm dùng để thiết kế một mạch điện[panel]. Trên bảng có các điểm giống nhau, mỗi điểm gồm nhiều lỗ cắm [9 lỗ] tiếp xúc điệnvới nhau, các điểm cách điện với nhau.3. Đồng hồ đo điện đa năng [2 chiếc]- Trong bài này ta sử dụng ở chức năng vôn kế hoặc ampe kế một chiều. Khi sử dụng các đồnghồ cần chú ý chọn giá trị thang đo hợp lý [dòng IB thường nhỏ, không vượt quá 50A]4. Nguồn điện một chiều- Nguồn cấp điện một chiều có hai lối ra. Một lối ra có hai cực +, − với hiệu điện thế cố định5V, một lối ra có các cực −, 0, + với hiệu điện thế có thể thay đổi được nhờ một triết áp và đượchiển thị trên một màn hình tinh thể lỏng.5. Các dụng cụ khác:- Điện trở 1k, biến trở có giá trị biến thiên từ 0 đến 220 nhờ một triết áp xoay vòng, các dâynối được coi có điện trở khơng đáng kể. Các dụng cụ này đều có chân cắm thích hợi với bảngđiện.IV. TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM1. Xác định đặc tuyến tĩnh vào của transistor81kIC++5V-+220- Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 6. Một đồng hồ vạnnăng được sử dụng ở chức năng đo cường độ dòngđiện một chiều [ampe kế], một được sử dụng ở chứcnăng đo hiệu điện thế một chiều [vơn kế].- Cần chú ý dịng IB thường nhỏ [nhỏ hơn 50A,không được để vượt quá giá trị này], hiệu điện thếUBE được thay đổi nhờ biến trở 220, nó có giá trịtrong khoảng từ 0 đến 0,7V. Căn cứ vào các thơng sốAIBV-Hình 6. Sơ đồ mạch điện xác định đặctuyến tĩnh vào của transistorIE o2. Xác định đặc tuyến tĩnh ra của transistor1kLối ra có điều khiểuUCE được hiển thịđó để chọn thang đo ở các đồng hồ cho hợp lý.- Hiệu điện thế UCE được giữ cố định 5V, thay đổi hiệu điện thế UBE bằng cách xoay triết áp củabiến trở 220 và xem giá trị trên vôn kế. Đặt các+Agiá trị UBE như trong bảng 1, ghi các giá trị IB tươngứng. Lặp lại phép đo 3 lần và kết quả được ghi vàoIbảng 1.+++CAIB5V-220I- Mắc mạch theo sơ đồ hình 7. Trong phần này tasử dụng cả hai nguồn điện. Hai đồng hồ vạn năngđều được sử dụng ở chức năng đo cường độ dịngHình 7. Sơ đồ mạch điện xác định đặcđiện một chiều [ampe kế].tuyến tĩnh ra của transistor- Cần chú ý dòng IB thường nhỏ [nhỏ hơn 50A,khơng được để vượt q giá trị này], dịng IC cỡ mA, hiệu điện thế UCE được cho biến đổi từ 0đến 2,5V. Ta tiến hành xác định 3 đặc tuyến tĩnh ra của transistor với các giá trị 10A, 20A,30A của dòng IB.- Để tiến hành đo, đặt U CE = 3V , đặt I B = 10  A bằng cách xoay triết áp của biển trở 220. GhiEgiá trị của IC. Sau đó giảm UCE lần lượt đến các giá trị như trong bảng 2 và ghi các giá trị ICtương ứng. Lặp lại phép đo 3 lần. Làm tương tự với các giá trị khác của IB, kết quả được ghi vàobảng 2.- Chú ý: khi thay đổi UCE tới giá trị nhỏ thì dịng IB sẽ tăng lên, khi đó ta phải xoay triết áp của+biến trở 220 để giữ khơng đổi IB, sau đó mới đọcAIC].-1k- Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 8. Trong phần nàyta chỉ sử dụng nguồn điện 5V cố định. Hai đồng hồvạn năng đều được sử dụng ở chức năng đo cườngđộ dòng điện một chiều [ampe kế].- Giữ không đổi U CE = 5 V, thay đổi IB lần lượt cácgiá trị như trong bảng 3, ghi các giá trị IC tương ứng.Lặp lại phép đo 3 lần, kết quả được ghi vào bảng 3.+IC+5V-AIB2203. Xác định đặc tuyến tĩnh truyền đạtIEHình 8. Sơ đồ mạch điện xác định đặctuyến tĩnh truyền đạt của transistorV. NỘI DUNG CẦN BÁO CÁO- Báo cáo thí nghiệm được viết theo các phần sau:I. Mục đích thí nghiệm- Trình bày ngắn gọn mục đích của bài thí nghiệm.II. Cơ sở lý thuyết- Trình bày sơ lược về cấu tạo, phân loại transistor.- Trình bày sơ lược về các họ đặc tuyến tĩnh của transistor.III. Kết quả thực nghiệm- Trình bày theo các mục như trong phần thí nghiệm.- Trong mỗi phần, nêu sơ lược cách đo, bảng số liệu, tính các giá trị đo được. Từ bảng sốliệu tính tốn được vẽ đặc tuyến tĩnh, nhận xét [các đồ thị phải được vẽ rõ ràng, vẽ bằngtay trên giấy vẽ đồ thị hoặc vẽ trên máy tính. Đồ thị được trình bày đúng thứ tự của từngphần].9 - Trong phần 3, sau khi vẽ xong được tuyến tĩnh truyền đạt và nhận xét, xác định hệ sốkhuếch đại của transistor [với các số liệu đã đo được ở bảng 3]. Trong phần này lưu ýcách lấy sai số của các giá trị IB. Với mỗi cặp giá trị của IB và IC ta tính được một giá trịcủa K và viết dưới dạng K = K  K , với 5 cặp giá trị như trên ta tính được 5 giá trị củaK. Lấy trung bình cộng các giá trị đó ta sẽ được kết quả cuối cùng của phép đo viết songsong dưới hai dạng K = K  K ; K = K   % .IV. Nhận xét- Nhận xét các kết quả thí nghiệm, nêu nguyên nhân dẫn đến sai số.- Ý kiến đề nghị để bài thí nghiệm được tốt hơn [nếu có].Lưu ý:- Bảng kết quả thực nghiệm phải được xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm, nó phảiđược ghi rõ ràng, khơng tẩy xố [có thể ghi nháp trước, khi nào thấy kết quả hợp lý, chắc chắnmới ghi vào bảng]. Bảng kết quả này sẽ phải đóng vào cuối của báo cáo thí nghiệm.10 BẢNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM – NHĨM 10Bài thí nghiệm số 10NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TUYẾN TĨNH CỦA TRANSISTORHọ tên sinh viên: .................................................. Mã số SV: ................ Lớp:.........Những người làm cùng: 1 ........................................................................................2 .........................................................................................3 .........................................................................................Bảng 1. Kết quả đo IB theo các giá trị của UBE tương ứng trong bảng, đơn vị V [ U CE = 5 V]Lần đo0,000,200,400,500,550,600,650,70100023816362000239163630002381637I B  I BIB = IB = IB =IB =IB = IB =IB =IB =Bảng 2. Kết quả đo IC với các giá trị của UCE [V] [ I B = 10A , IB = 20A , IB = 30A ]I B Lần đo100,00,10,20,30,40,51,02,510.000.601.151.051.051.101.101.2020.000.651.051.151.051.051.051.1030.000.651.101.151.101.051.051.10I C  I C20 IC =IC = IC =IC = IC = IC =IC =10.001.152.252.252.252.152.302.1520.001.152.252.202.152.302.202.2530.001.102.152.202.252.152.252.20I C  I C30IC =IC = IC =IC = IC =IC = IC = IC =IC =10.001.603.353.253.353.353.403.4020.001.603.253.303.353.253.403.3030.001.603.303.253.303.303.303.40I C  I C I C = IC =IC = IC =IC = IC = IC =IC =Bảng 3. Kết quả đo IC theo các giá trị của IB trong bảng, đơn vị A [ U CE = 5 V]Lần đo102030405011.202.253.304.355.5521.152.153.354.405.5531.102.203.404.455.45I C  I CIC =IC =IC =IC =IC =Ngày …… tháng …… năm …………………Xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm11

Video liên quan

Chủ Đề